Наноструктурный термоэлектрический материал на основе (Bi, Sb)₂Te₃, полученный методом искрового плазменного спекания

Показано, что в отличие от монокристаллов на основе теллуридов висмута и сурьмы в наноструктурном материале максимальной термоэлектрической эффективностью обладает состав B₀,₄Sb₁,₆Te₃. Впервые обнаружен эффект уменьшения размера областей когерентного рассеяния при повышении температуры ИПС выше 400°C, обусловленный фрагментацией исходных зерен в результате образования в их объеме нанозерен, соответствующих начальной стадии повторной рекристаллизации. Установлена корреляция термоэлектрических свойств наноструктурного материала от температуры ИПС выше 400°C и изменения его тонкой структуры, которое определяется перераспределением собственных точечных дефектов (СТД). Установлено, что существует самоорганизующийся процесс получения наноструктурного (Bi, Sb)₂Te₃, в основе которого лежит перераспределение неравновесных СТД. Исследовано влияние температуры и давления при ИПС на коэффициент текстуры и анизотропию термоэлектрических свойств наноструктурного Bi₀,₄Sb₁,₆Te₃. Впервые проведен анализ зависимости низкотемпературных (15 - 300 К) транспортных свойств от температуры ИПС наноструктурного Bi₀,₄Sb₁,₆Te₃.