Процессы теплопроводности и диффузии в эффекте резистивного переключения с памятью в тонкопленочных оксидных структурах

Цель: теоретическое исследование эффекта униполярного резистивного переключения с памятью в МОМ-структуре Pt/NiO/Pt с помощью численного моделирования процессов электрической формовки и перехода из высокоомного в низкоомное состояние структуры на основе полученных экспериментальных данных. Разработаны: модель электрической формовки, базирующаяся на эффекте образования канала за счет плавления окисла NiO при пробое джоулевым нагревом; модель перехода (RESET) из «ON» в «OFF» состояние, базирующаяся на механизме теплоиндуцированной диффузии никелевых вакансий за счет джоулева нагрева переключающим током; методика численного моделирования системы нелинейных уравнений диффузии, температуры и потенциала. Выполнен численный эксперимент формовки и переключения RESET. Проведено сравнение полученных результатов моделирования с экспериментальными данными; сделаны выводы по разработанным моделям.