Гетероструктуры для светодиодов видимого диапазона и транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе квантово-размерных слоев InGaN, InAlN и короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN

Цель: исследование новых подходов к созданию активных областей светодиодов и транзисторов с высокой подвижностью электронов (НЕМТ), основанных на управлении эффектом фазовой сепарации в квантово-размерных слоях InGaN и InAlN. Предложен способ управления морфологией слоев InGaN с использованием азот-водородной атмосферы эпитаксиального роста, позволяющий получать или однородные по составу слои InGaN, или массив InGaN-островков и создавать короткопериодные сверхрешетки InGaN/GaN. На основе полученных результатов созданы высокоэффективные светодиоды синего, желто-зеленого диапазонов и монолитные белые светодиоды. Впервые для гетероструктур InGaN/GaN реализован метод субмонослойного роста. Определены условия роста слоев InAlN без фазовой сепарации, и получены распределенные брэгговские отражатели InAlN/GaN и гетероструктуры для HEMT-транзисторов. Впервые исследовано стимулированное формирование островков InGaN в композитных гетероструктурах InGaN/GaN/InAlN