Исследование и разработка тонкопленочных гетерогенных структур чувствительных элементов датчиков давлений с экстремальными условиями эксплуатации

Цель: получение равновесных, термостабильных тонкопленочных гетерогенных структур чувствительных элементов на основе тензорезистивных сплавов Х20Н75Ю и П65ХС и высокочувствительных тензорезисторов на основе композиции Si-C-Cr с изолирующим слоем SiC. Разработаны многостадийная технология термостабилизации в вакууме и на воздухе тонкопленочных структур чувствительных элементов на основе сплава Х20Н75Ю и технология высокоэнергетической обработки тензорезисторов из сплава П65ХС. Данные технологии позволили увеличить стабильность тензорезисторов и управлять значениями их параметров.Созданы термостабильные высокочувствительные тензорезисторы на основе композиции Si-C-Cr и изолирующего слоя SiC на подложке из специального сплава с заданными упругими характеристиками по оптимизированным режимам магнетронного распыления. Эта структура позволила использовать мембранный чувствительный элемент для измерения сверхмалых давлений.