Разработка методов управления свойствами аморфных микропроводов и технологий изготовления высокочувствительных датчиков магнитного поля

Цель исследования - разработка методов модификации свойств аморфных микропроводов для применений в качестве МИ-элементов датчика, а также принципов и технологии изготовления высокочувствительных датчиков магнитного поля на основе МИ-эффекта. Представлены: методики термо- и термомагнитной обработки аморфного микропровода позволяют до 100% увеличить чувствительность МИ, «передвигать» операционный режим чувствительного элемента и до 50% улучшить температурную стабильность за счет релаксации внутренних напряжений; механизм резонансного возбуждения МИ-элемента в недиагональной конфигурации приводит к нелинейному возрастанию выходного сигнала и позволяет достичь рекордной чувствительности передаточной функции порядка 13 мВ/(Э•виток); основы технологии получения интеллектуальных сенсоров на основе МИ-эффекта.