Тепловой режим полупроводниковых источников света при ускоренных испытаниях на надежность и долговечность

Разработан бесконтактный метод измерения температуры кристалла, позволяющий осуществлять контроль теплового режима полупроводникового источника света как в процессе его эксплуатации, так и при ускоренных испытаниях. Доказано, что величина теплового сопротивления полупроводникового источника света из-за особенностей выделения тепла в кристалле не является величиной постоянной, а зависит от плотности тока, температуры корпуса и времени испытаний, так что его первоначальное значение, указанное в технических условиях, не может быть использовано для расчета коэффициента ускорения. Предложен подход к оценке коэффициента ускорения, учитывающий его увеличение во время испытаний из-за роста температуры кристалла за счет уменьшения мощности излучения источника света и увеличения доли выделяющейся в кристалле и люминофорном покрытии тепловой мощности. Даны рекомендации по использованию результатов исследования.