Диссертация
№ АААА-В17-517052380071-7

Моделирование показателей радиационной стойкости кремниевых интегральных схем

23.05.2017

Цель: разработка методов, моделей, алгоритмов и программ моделирования кремниевых интегральных схем (ИС) для проектирования и прогнозирования (ПРС) в условиях воздействия радиационных эффектов. Разработаны: методы математического моделирования ПРС кремниевых ИС на основе диффузионно-дрейфового приближения; модели физических параметров и процессов, происходящих в кремнии и оксиде кремния при комплексном воздействии радиационных эффектов и температуры; статистические методы прогнозирования ПРС кремниевых ИС с учетом температуры среды. Созданы модели физических параметров кремния и оксида кремния, входящих в фундаментальную систему уравнений диффузионно-дрейфового приближения. Предложена открытая нелинейная детерминированная структурно-физическая модель р-n-перехода на основе диффузионно-дрейфового приближения. Разработана температурно-зависимая модель мгновенной составляющей переходного ионизационного тока р-n-перехода. Приведен алгоритм учета ограничения глубины сбора ННЗ геометрическими размерами квазинейтральных слоев. Разработаны расчетно-экспериментальная модель радиационно-индуцированной защелки, расчетно-экспериментальные численный и аналитический методы прогнозирования ПРС кремниевых ИС, вероятностно-статистический расчетно-экспериментальный метод анализа и прогнозирования ПРС биполярных ИС в условиях действия эффектов смещения ИИ.
ГРНТИ
47.33.31 Интегральные микросхемы
Ключевые слова
РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ
ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА
ИОНИЗИРУЮЩИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ
ИОНИЗАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ
МОДЕЛИРОВАНИЕ
Детали

Автор
Панюшкин Николай Николаевич
Вид
Докторская
Целевое степень
Доктор технических наук
Дата защиты
11.04.2017
Организация защиты
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет"
Организация автора
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный лесотехнический университет им. Г.Ф. Морозова"
Похожие документы
Разработка и исследование моделей радиационных воздействий для расчета характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с помощью системы TCAD
0.936
Диссертация
Исследование и разработка радиационных моделей элементов кремний-германиевых аналого-цифровых БиКМОП СБИС для проектирования космической радио- и телекоммуникационной аппаратуры
0.912
НИОКТР
Разработка физико-математических основ отечественного программного обеспечения, предназначенного для моделирования технологии и физики полупроводниковых приборов - элементной базы микро-, нано-, силовой и оптоэлектроники. Заключительный.
0.907
ИКРБС
Приборно-технологическое моделирование субмикронных МОП-транзисторов со структурой кремний на изоляторе с учетом температурных и радиационных эффектов
0.904
Диссертация
Отчет о научно-исследовательской работе «Исследование и разработка радиационных моделей элементов кремний-германиевых аналого-цифровых БИКМОП СБИС для проектирования космической радио- и телекоммуникационной аппаратуры»
0.903
ИКРБС
Исследование и разработка радиационных моделей элементов кремний-германиевых аналого-цифровых БиКМОП СБИС для проектирования космической радио- и телекоммуникационной аппаратуры
0.902
ИКРБС
Развитие методов расчётно-экспериментального моделирования радиационных эффектов при проектировании и испытаниях радиационно-стойких изделий электронной техники космического применения
0.900
Диссертация
Исследование и разработка конструктивно-технологических методов улучшения электрических характеристик радиационно-стойких микросхем в условиях серийного производства
0.888
Диссертация
Прикладные междисциплинарные исследования в нано-, био-, инфо- и когнитивных технологияхпо теме 1.5: РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ ПОВЫШЕНИЯ ОТКАЗОУСТОЙЧИВОСТИ, В ТОМ ЧИСЛЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА ОСНОВЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ И СХЕМОТЕХНИЧЕСКИХ ПОДХОДОВ (промежуточный, этап 2019 года)
0.887
ИКРБС
Обоснование новых методов контроля потенциальных дефектов КМОП ИМС и компенсации процессов радиационной деградации детекторов ТЗЧ
0.887
НИОКТР