Магнитотранспортные свойства гибридных структур Fe/SiO₂/p-Si и Mn/SiO₂/n-Si

14.07.2017

Получены данные, которые позволяют дополнить производство магниточувствительных элементов полупроводниковой электроники новыми образцами. Принцип действия этих устройств основан на эффекте магнитоимпеданса, возникающем за счет участия поверхностных центров на границе диэлектрик/полупроводник и процессов их перезарядки. Управление магнитосопротивлением такой структуры возможно за счет частоты переменного тока, внешнего магнитного поля и напряжения смещения. Такие устройства могут быть особенно полезны в областях, где играет важную роль такой критерий, как чувствительность к магнитному полю, и при изготовлении высокочастотных приборов.

ГРНТИ

29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры

29.19.31 Полупроводники

29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела

Ключевые слова

СПИНТРОНИКА

ПОЛУПРОВОДНИКИ

МАГНИТНЫЙ ИМПЕДАНС

ДИОД С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ

Детали

Автор

Смоляков Дмитрий Александрович

Вид

Кандидатская

Целевое степень

Кандидат физико-математических наук

Дата защиты

23.06.2017

Организация защиты

Федеральное государственное бюджетное научное учреждение «Федеральный исследовательский центр «Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук»

Организация автора

Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук – обособленное подразделение ФИЦ КНЦ СО РАН

Похожие документы

Исследование магнитотранспортных свойств гибридных структур Fe/SiO2/p-Si и Fe/SiO2/n-Si

0.951

ИКРБС

МАГНИТНОЕ СОСТОЯНИЕ И СПИН-ЗАВИСИМЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В СЛОИСТЫХ ГИБРИДНЫХ СТРУКТУРАХ ФЕРРОМАГНЕТИК/ПОЛУПРОВОДНИК

0.933

ИКРБС

Исследование магнитных гибридных наноструктур ферромагнитный металл/полупроводник для использования в перспективных устройствах спиновой электроники

0.932

ИКРБС