Разработка и исследование сверхвысокочастотных гетероструктурных GaAs-низкобарьерных диодов и монолитных интегральных схем на их основе

Объекты исследования: низкобарьерные диоды на основе полупроводниковых переходов (НДПП), монолитные интегральные схемы (МИС) детекторов мощности СВЧ-сигнала на их основе. Цель: проведение теоретических и экспериментальных исследований, направленных на разработку конструкции детекторного НДПП с улучшенными характеристиками на основе гетероструктур A³B⁵, уточненной нелинейной СВЧ-модели НДПП, а также НДПП МИС сверхширокополосных детекторов мощности диапазонов СВЧ и КВЧ. Предложен способ формирования потенциального барьера в GaAs-НДПП, основанный на одновременном использовании свойств p - n-перехода и гетеропереходов InGaAs/GaAs. Изготовлены гетероструктурные НДПП, обладающие более низким обратным током по сравнению с гомоструктурными НДПП и не уступающие им по остальным параметрам. Разработаны технология изготовления дискретных GaAs-гомо- и гетероструктурных НДПП, а также МИС на их основе, предназначенная для серийного производства МИС-детекторов мощности СВЧ- сигнала с рабочим диапазоном частот до 110 ГГц, нелинейная СВЧ-модель НДПП для проектирования МИС, приборов и устройств в диапазоне 0,01 - 110 ГГц. Разработаны и освоены в производстве дискретные диоды и МИС детекторов поглощаемой и проходящей мощности. Разработанные технологии и приборы применяются в СВЧ-контрольно-измерительной аппаратуре, серийно выпускаемой АО "НПФ «Микран»".