Радиационно-термическое спекание в пучке быстрых электронов поликристаллических гексагональных ферритов BaFe₁₂O₁₉ и ВаFe₁₂₋ₓ(Al,Ni,Ti,Mn)ₓO₁₉ для постоянных магнитов и подложек микрополосковых приборов СВЧ-электроники

Цель: изучение возможности получения методом радиационно-термического спекания (РТС) поликристаллических гексагональных ферритов BaFe₁₂O₁₉ (изотропных и анизотропных) и BaFe₁₂₋ₓ(Al,Ni,Ti,Mn)ₓO₁₉, анизотропных (0,2 ≤ х ≤ 3,0 ф.е.), для постоянных магнитов и подложек микрополосковых приборов СВЧ-электроники. Изучено влияние температуры РТС на процессы формирования кристаллической структуры, кристаллической и магнитной текстуры, магнитной микроструктуры, плотности и параметров петли магнитного гистерезиса гексагональных ферритов бария (ГБ) вышеприведенных составов. Определены оптимальные температуры РТС. Разработаны способы получения по технологии РТС поликристаллических ГБ (изотропного BaFe₁₂O₁₉, анизотропного BaFe₁₂O₁₉ и изотропного BaFe₁₂₋ₓAlₓO₁₉), а также способ получения методом РТС ферритовых изделий на основе BaFe₁₂O₁₉. Установлены корреляция между кристаллической и магнитной текстурой ГБ и выражение для описания настоящей корреляции. На практике показана большая временная и энергоэффективность для ГБ технологии РТС по сравнению с традиционной керамической технологией.