Плазмодинамический синтез ультрадисперсного карбида кремния

Карбид кремния SiC широко используется в различных областях промышленности благодаря уникальной совокупности физических свойств, является перспективным широкозонным полупроводниковым материалом. Разработан метод плазмодинамического синтеза ультрадисперсного карбида кремния, и установлены основные закономерности влияния различных факторов (условий инициирования дугового разряда, энергетических параметров, параметров состояния внешней газообразной среды) на процесс и продукт синтеза. Для синтезированного материала определены полупроводниковые характеристики, что показало перспективность применения ультрадисперсного SiC в качестве основы для устройств наноэлектроники. Методом искрового плазменного спекания на основе продукта плазмодинамического синтеза получены объемные керамические образцы, продемонстрировавшие высокие физико-механические свойства (плотность до ~98%, твердость до ~26 ГПа) и теплопроводность (до ~70 Вт/м•К).