Светоизлучающие III - N гетероструктуры с трехмерной локализацией носителей заряда

Цель работы - создание экспериментальных методов формирования In-обогащенных областей в светоизлучающих гетероструктурах на основе III - N материалов, обеспечивающих трехмерную локализацию носителей методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (ГФЭ МОС); комплексное исследование взаимосвязи условий роста и структурных и оптических свойств выращенных гетероструктур; создание на основе разработанных методов новых типов гетероструктур для светоизлучающих приборов. Продемонстрирована in situ трансформация сплошной квантовой ямы InGaN в массив изолированных островков, стимулированная условиями эпитаксиального роста: прерываниями роста в азот-водородной атмосфере после осаждения квантовой ямы InGaN и давлением при росте квантовой ямы InGaN. Выполнено комплексное исследование влияния технологических параметров эпитаксиального роста квантовой ямы InGaN на формирование локальных In-обогащенных областей, в том числе на формирование квантовых точек. Предложен и изучен метод субмонослойного роста InGaN квантовых ям. Предложен метод создания короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN путем циклической конвертации слоя InGaN в GaN при прерываниях роста в азот-водородной атмосфере. Предложены и изучены композитные гетероструктуры InGaN/GaN/InAlN, позволяющие расширить спектр излучения квантовых ям InGaN. Созданы и исследованы светоизлучающие структуры синего и желто-зеленого диапазона, а также светоизлучающие структуры с монолитной активной областью, основанные на комбинации короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN, сформированных методом конвертации InGaN в GaN, и трансформированных в островки квантовых ям InGaN.