Диссертация
№ АААА-В19-419101190027-7Математические модели процессов формирования наноразмерных пленок
11.10.2019
Цель: разработка математических моделей процессов массопереноса и конденсации вещества, учитывающих влияние взаимодействия частиц, структуры подложки и факторов, влияющих на качество формирования наноразмерных пленок и покрытий, позволяющих оптимизировать параметры технологических процессов и повышать качество наноразмерных пленок и покрытий. Разработана математическая модель массопереноса на подложку, отличающаяся тем, что позволяет анализировать степень влияния взаимодействия частиц в процессе массопереноса и учитывает влияние макропараметров процесса (скорости потока, расхода материалов) на равномерность распределения толщины тонкой пленки. Предложена функция качества процесса конденсации материала на подложке, позволяющая находить компромиссное решение между равномерностью получаемой пленки, расходом материала, эффективностью массопереноса и шириной зоны наносимой пленки, позволяющая выбирать геометрические параметры конструкции установки и технологические параметры. Разработана математическая модель процессов конденсации, роста и отжига наноразмерных пленок, отличающаяся тем, что учитывает влияние значимых факторов (взаимодействие частиц с подложкой, кристаллическая структура подложки, скорость осаждения, температура подложки и время отжига) на качество пленки для атомов с изотропными и анизотропными связями. Разработана математическая модель роста тонких пленок при конденсации атомов с анизотропной связью с sp3 типа гибридизации, характерной для большого числа полупроводниковых материалов и пленок сложного (многокомпонентного) состава, отличающаяся тем, что учитывает влияние длины связей и углов между двумя частицами (орбиталями). Разработан численный метод моделирования процессов конденсации, роста и отжига наноразмерных пленок, объединяющий преимущества метода Монте-Карло и оптимизацию по квазиньютоновскому методу, отличающийся тем, что позволяет изменять шаг и направление движения частиц и дает количественную оценку степени влияния значимых факторов. Разработанный проблемно-ориентированный комплекс алгоритмов и программ моделирования процессов формирования тонких пленок позволяет описать процесс массопереноса, конденсации, роста и отжига при разных условиях формирования и оценить влияние факторов процесса на параметры пленки.
ГРНТИ
50.41.23 Программное обеспечение вычислительных сетей
Ключевые слова
МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
МАССОПЕРЕНОС
РОСТ ТОНКИХ ПЛЕНОК
МОЛЕКУЛЯРНАЯ ДИНАМИКА
МОНТЕ-КАРЛО
Детали
Автор
Чу Чонг Шы -
Вид
Кандидатская
Целевое степень
Кандидат технических наук
Дата защиты
09.10.2019
Организация защиты
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” им. В.И. Ульянова (Ленина)"
Организация автора
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” им. В.И. Ульянова (Ленина)"
Похожие документы
Математическое моделирование процессов напыления оптических нанопокрытий
0.926
ИКРБС
Высокопроизводительные технологии моделирования релаксационных процессов в наноструктурированных тонких пленках
0.920
ИКРБС
Математическое моделирование процесса напыления тонких пленок, их структуры и свойств
0.917
Диссертация
Математическое моделирование газофазного осаждения материала на криволинейную поверхность
0.917
НИОКТР
Исследование процессов тепломассопереноса в микро- и наноструктурах
0.914
НИОКТР
Математическое моделирование плазмохимических технологий микроэлектроники
0.905
Диссертация
Математическое моделирование наносистем и наноматериалов
0.904
ИКРБС
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ КОАЛЕСЦЕНЦИИ И СПЕКАНИЯ В МОНО- И БИМЕТАЛЛИЧЕСКИХ НАНОСИСТЕМАХ
0.902
Диссертация
Высокопроизводительные технологии моделирования релаксационных процессов в наноструктурированных тонких пленках
0.901
НИОКТР
Моделирование атомарных процессов структурообразования многокомпонентных покрытий, полученных методами физического осаждения
0.900
НИОКТР