Полупроводниковые гетероструктуры A3B5, полученные методами молекулярно-пучковой эпитаксии и спекания, и лазеры спектрального диапазона 1300 – 1550 нм на их основе

Цель работы - разработка новых технологических методов получения гибридных полупроводниковых квантово-размерных гетероструктур, обеспечивающих создание эффективных лазеров полосковой конструкции и вертикально-излучающих лазеров (ВИЛ) спектрального диапазона 1300-1550 нм. Гетероструктуры с квантовыми точками (КТ) и квантовыми ямами (КЯ) на подложках GaAs с метаморфным буферным слоем для лазеров полосковой конструкции диапазона 1550 нм и ВИЛ диапазона 1300 нм, соответственно, изготавливались методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ). Для изготовления гетероструктур ВИЛ диапазона 1550 нм использовался комбинированный метод МПЭ и спекания. Основные результаты: Методом МПЭ на подложках GaAs созданы метаморфные гетероструктуры с квантовыми ямами InGaAs, имеющие плотность проникающих дислокаций в активной области менее 10^7 см^-2; Полупроводниковые лазеры полосковой конструкции, созданные из гетероструктур с квантовыми точками InAs/InGaAs, на метаморфных слоях (In,Ga,Al)As, при непрерывном режиме токовой накачки продемонстрировали более 800 часов работы без деградации выходной оптической мощности при температуре теплоотвода 10 °С; ВИЛ диапазона 1550 нм продемонстрировали при комнатной температуре одномодовую лазерную генерацию в непрерывном режиме с пороговым током < 1,5 мА, выходной оптической мощностью 6 мВт, коэффициентом подавления боковых мод 40-45 дБ, максимальную частоту эффективной модуляции 11,5 ГГц и скорость передачи данных более 25 Гбит/с.