СИНТЕЗ ТОНКИХ ПЛЕНОК КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МЕТОДА МОЛЕКУЛЯРНОГО НАСЛАИВАНИЯ

Разработан процесс получения конформных нанопокрытий карбида кремния на поверхности монокристаллического кремния, основанный на предварительном синтезе полиамидных пленок на указанной подложке методом молекулярного наслаивания с использованием тримезоилхлорида и 1,2-этилендиамина при температуре 120 оС. Последующий пиролиз полимерных пленок при 1300С в вакууме приводит к формированию нанопокрытий SiC. Установлены предпочтительные толщины пленок полиамида, обеспечивающие, в результате карбонизации полимера, получение керамического покрытия без избыточного углерода. Доказана взаимосвязь линейных зависимостей толщины полимерных и керамических покрытий от числа циклов молекулярного наслаивания.