Cl-анионное легирование тонкопленочных галогенидных перовскитов для инвертированных p-i-n солнечных элементов и модулей с повышенной фотостабильностью

В настоящей работе представлены результаты по применеию нового органического комплекса TED-NiA и методика жидкофазного получения слоев NiOx которые продемонстрировали ПСЭ с КПД > 15 %. Разработана методика Cl-анионного замещения в составе двухкатионного фотопоглощающего слоя перовскита CsFAPbI3, позволившая увеличить КПД устройств с 18,06 % до 20,13 % и масштабировать технологию до модулей с активной площадью 35 см2. Было произведено комплексное исследование изменения численных параметров дефектов для ПСЭ CsFAPbI3 и CsFAPbI3-xClx, а также повышена стабильность устройств под интенсивным воздействием света с 1128 ч до 2820 ч.