Диссертация
№ 423032800025-1Математическое моделирование процессов резистивного переключения в мемристоре и обработки информации в мемристорно-диодных кроссбарах входного и выходного устройств биоморфного нейропроцессора
28.03.2023
Целью работы является создание алгоритмов моделирования и на их основе комплекса проблемно-ориентированных программ, предназначенных для вычислительных экспериментов по имитационному моделированию процессов переключения резистивных состояний мемристора. Разработаны итерационный алгоритм и на его основе проблемно-ориентированная программа для математического моделирования процесса резистивного переключения мемристора с применением метода конечных разностей. Разработаны алгоритмы и соответствующие программы автоматического построения электрических схем входного кодирующего и выходного декодирующего устройств биоморфного нейропроцессора, включающих логическую матрицу с комбинированным мемристорно-диодным кроссбаром. Показана работоспособность входного устройства нейропроцессора в режиме кодирования двоичного числа в частоту импульсов популяцией из трех нейронов и выходного устройства нейропроцессора. При помощи имитационного моделирования в программе MDC-SPICE показана работоспособность выходного устройства, проводящего декодирование поступающих от нейронов импульсов в двоичный формат.
ГРНТИ
28.17.19 Математическое моделирование
Ключевые слова
мемристор
биоморфный нейропроцессор
математическое моделирование
наноэлектроника
логическая матрица
Детали
Автор
Ибрагим Абдулла Хайдар Абдо -
Вид
Кандидатская
Целевое степень
Кандидат физико-математических наук
Дата защиты
15.03.2023
Организация защиты
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ТЮМЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
Организация автора
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ТЮМЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
Похожие документы
Моделирование процессов резистивного переключения мемристора и обработки сигналов в мемристорном массиве аппаратной импульсной нейросети и других устройств нейропроцессора
0.936
НИОКТР
Моделирование физических процессов в мемристорно-диодных кроссбарах входного и выходного блоках нейропроцессора
0.921
ИКРБС
Изучение физических принципов работы мемристорных структур с разработкой методов компактного моделирования их резистивного переключения
0.920
Диссертация
Основы исследовательского проектирования мемристивных систем
0.916
НИОКТР
Методы и средства автоматизации исследовательского проектирования мемристивных систем
0.907
НИОКТР
Новые схемотехнические решения для перспективной элементной базы на мемристорах и методы моделирования интегральных схем на мемристорных приборах Проект РФФИ №18-07-00498-а
0.902
НИОКТР
Формирование и исследование мемристоров на основе металлических и полимерных пленок нанометровой толщины
0.897
ИКРБС
Разработка принципов схемотехнического проектирования новых элементов и систем на основе мемристоров и методов моделирования их электрических характеристикПроект РФФИ №15-07-05539-а
0.896
ИКРБС
Математическое моделирование процессов в интегральных микросхемах импульсных преобразователей напряжения при внешних тепловых и электрических воздействиях
0.896
Диссертация
Принципы создания и функционирования аналоговых мемристорных элементов и нейроморфных систем на их основе
0.895
Диссертация