Исследование микрополосковых рамочных излучающих структур с диэлектрическими подложками

В рамках диссертационного исследования разработаны методика электродинамического анализа и математическая модель микрополосковых рамочных излучающих структур, размещенных на диэлектрических подложках с односторонней металлизацией, основанная на решении интегральных уравнений с получением численно-аналитического решения для функции распределения поверхностной плотности тока и входного импеданса, позволяющие обеспечить снижение погрешности вычислений и требований к вычислительным ресурсам, также решать задачи дифракции. Получены аналитические выражения для элементов матрицы поверхностных импедансов границы раздела диэлектрик с односторонней металлизацией - диэлектрическое полупространство с учетом криволинейной геометрии микрополосковых рамочных излучающих структур в цилиндрической системе координат. Получены аналитические выражения для интегральных представлений электромагнитного поля микрополосковых рамочных излучающих структур, размещенных на диэлектрических подложках с односторонней металлизацией, позволяющие вычислять значения электрических и магнитных полей в любой точке пространства, включая ближнюю зону, а также поле внутри подложки. Получены новые результаты исследования характеристик микрополосковой рамочной излучающей структуры с диэлектрической подложкой с односторонней металлизацией, расширяющие теоретические знания в области планарных микрополосковых рамочных структур, в частности, влияния геометрических характеристик структуры и диэлектрических параметров материала подложки на распределение тока по структуре, ее входное сопротивление и характеристики рассеяния отраженной волны.