МОДИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ NIOX ТОНКИХ ПЛЕНОК И МНОГОСТУПЕНЧАТАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ ФОТОАКТИВНЫХ СЛОЕВ ДЛЯ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ P-I-N ПЕРОВСКИТНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

В настоящей работе представлены результаты исследований приборных характеристик p-i-n планарных перовскитных солнечных элементов на основе двухстадийного нанесения перовскита с однокатионным (CH3NH3PbI3 (MAPbI3)) и мультикатионным (Cs0,05MA0,1425FA0,8075PbI2,7Br0,3) составами на воздухе и модификации интерфейса – зарядо-транспортный слой p-типа/перовскит органическими высокомолекулярными диэлектриками и полупроводниками для повышения КПД, стабильности , а также масштабируемости устройств. Применение технологии двухстадийного нанесения перовскита с однокатионным и мультикатионным составами на воздухе на основе модифицированного NiOх транспортного слоя позволило достичь КПД = 14 % для MAPbI3, 15,6 % для мультикатионного. Также метод пассивации интерфейса NiOх/перовскит позволил повысить КПД пассивированных устройств (КПД = 18,6 % (PMMA) и КПД = 18,3 % (PEO)) и также увеличить активную площадь устройств с 0,09 см2 до 10 см2.