Синтез непланарных наногетероструктур на основе III-N полупроводниковых материалов на кремнии методом молекулярно-пучковой эпитаксии и их свойства

Целью работы является исследование особенностей формирования и физических свойств непланарных наногетероструктур (In,Ga)N как на подложках Si(111) без ингибиторного слоя, так и на покрытых подложках Si(111) ингибиторным слоем SiOx с упорядоченными отверстиями. Для достижения данной цели были поставлены и решены следующие задачи: 1. Исследование особенностей формирования и физических свойств нитевидных нанокристаллов GaN на паттернированных подложках SiOx/Si(111). 2. Исследование особенностей формирования и физических свойств непланарных наноструктур InxGa1-xN на Si. 3. Разработка технологии роста нитевидных нанокристаллов GaN/InxGa1-xN с InxGa1-xN в структуре «ядро-оболочка» и исследование возможностей создания светоизлучающих устройств на их основе. В ходе выполнения работы была впервые экспериментально получена ростовая диаграмма соотношения температуры подложки и потоков элементов III/V групп для роста пространственно-упорядоченных ННК GaN на паттернированных подложках SiOx/Si(111); предложен новый способ получения тонких ННК GaN (20-50 нм); разработана модель пространственно-упорядоченного роста ННК GaN на паттернированных подложках SiOx/Si(111); установлено, что разветвленная морфология InxGa1-xN наноструктур формируется вследствие образования нановставок кубической фазы сфалерита, приводящей к изменению направления роста; обнаружено, что ННК InxGa1-xN со структурой «ядро-оболочка» спонтанно формируются при росте методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота; разработана технология создания на кремниевых подложках светоизлучающих диодов сине-зеленого спектра.