Атомно-слоевое осаждение оксидов гафния и циркония для структур с эффектом резистивного переключения

Установлены базовые рецепты для осаждения тонких плёнок оксидов гафния, циркония и гафния-циркония (HZO) на отечественной установке Изофаз TМ 200-01 со скоростью роста до 2 А/суперцикл, шероховатостью менее 0.1 нм и неравномерностью толщины по пластине диаметра 200 мм до 1.2%; Установлено, что получаемые слои не имеют выраженной кристаллической структуры, обладают повышенной плотностью с выраженной слоистостью ближе к поверхности и подходят для использования в резистивной и сегнетоэлектрической памяти; Определён механизм процесса плазмостимулированного атомно-слоевого осаждения оксида гафния с разделением на значимые и незначимые реакции, полностью описывающий процесс и позволяющий провести его моделирование с оптимальными временными и мощностными затратами; Реализована модель атомно-слоевого осаждения оксида гафния с использованием прекурсоров TEMAН + О2(плазма) в среде MATLAB, основанная на кинетическом методе Монте-Карло, подробно учитывающая поверхностные процессы и стерические эффекты, с возможностью масштабирования на другие осаждаемые материалы/используемые прекурсоры; Подтверждено, что установка ALD Изофаз TM 200-01 позволяет получать слои хорошего качества и рекомендуется для атомно-слоевого осаждения, в том числе, структур на основе оксида гафния и гафния-циркония, обладающих резистивным переключением и сегнетоэлектрическим эффектом.