Влияние особенностей формирования пленок пористого кремния на характеристики полупроводниковых барьерных структур

Объектами исследования являются полупроводниковые структуры с np-переходом и пленкой пористого кремния. Целью работы является установление физических механизмов, определяющих взаимосвязь между способами и параметрами процессов формирования пленок пористого кремния и характеристиками полупроводниковых барьерных структур. Для исследования применялись методы измерения спектров отражения и спектрометрия комбинационного рассеяния света, спектрометрия фотоэдс и фототока, измерения вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик, токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней. В результате работы разработан новый способ формирования пленки пористого кремния с примесью диффузанта (фосфора) для последующего формирования pn-перехода внутри пористой пленки. Также разработан новый способ повышения напряжения холостого хода, плотности тока короткого замыкания, а также ширины области спектральной чувствительности.