Разработка и исследование функциональных элементов интегральных схем СВЧ с пространственной передислокацией максимума плотности носителей заряда в квантовых областях гетероструктур полупроводниковых материалов А3В5

Цель исследования - разработка метода построения, конструкций, технологических маршрутов изготовления, моделей, методик и программных средств численного моделирования функциональных элементов интегральных схем СВЧ терагерцевого диапазона с пространственной передислокацией максимума плотности носителей заряда в квантовых областях гетероструктур полупроводниковых материалов А³В⁵. Разработаны: модель функциональных элементов интегральных схем СВЧ терагерцевого диапазона; методика и программные средства численного моделирования функциональных элементов интегральных схем СВЧ терагерцевого диапазона. Получены результаты численного моделирования функциональных элементов с пространственной передислокацией максимума плотности электронов в квантовых областях гетероструктур полупроводниковых материалов А³В⁵. Разрабатываемые функциональные элементы с пространственной передислокацией максимума плотности носителей заряда в квантовых областях гетероструктур полупроводниковых материалов А³В⁵ предназначены для создания на их основе интегральных схем СВЧ терагерцевого диапазона с целью их использования в наиболее высокочастотных узлах радиоэлектронной и телекоммуникационной аппаратуры.