Управляющие устройства на основе эффекта близости в асимметричных гетероструктурах ферромагнетик/сверхпроводник в магнитном поле

Для сверхрешетки FS с элементарной асимметричной ячейкой F1/S1/F2/S2 в чистом пределе получено качественное согласие с экспериментом для системы Gd/La и предсказано появление уединенной сверхпроводимости. Для контактов HTS/S и HTS/F показано, что сверхпроводящие d-волновые корреляции не проникают вглубь S- и F-металлов. Для асимметричных трехслойных систем FSF и FFS в грязном пределе при произвольных характеристиках во внешнем магнитном поле получено согласие зависимостей Tc с экспериментальными данными, предсказано возникновение уединенной сверхпроводимости, в том числе при увеличении внешнего магнитного поля. С помощью введения эффективного внешнего поля показано, что для тонкой двухслойной системы S/(расщепленный на домены ферромагнетик) зависимость Tc от толщины доменной стенки имеет немонотонный характер, а ее максимальное значение может приближаться к значению для S-материала, что качественно согласуется с экспериментами. Исследованы перспективные материалы с тяжелыми фермионами. Обсуждены приложения FS-систем в качестве спиновых переключателей; даны рекомендации для поиска оптимальных параметров; показано, что асимметричные системы обладают большими возможностями, а состояния с уединенной сверхпроводимостью оказываются наиболее перспективными. Предложены реалистические модели спиновых контрольных устройств сверхпроводящей магнитной наноэлектроники с двумя каналами записи и обработки информации с учетом влияния управляющего внешнего магнитного поля.