ИКРБС
№ 216021110020Изготовление тестовых макетов датчиков магнитного поля на основе спин-туннельных магниторезистивных наноструктур обобщение и оценка полученных результатов
23.12.2015
Цель: разработка конструктивно-технологических методов изготовления спин-туннельных магниторезистивных наноструктур с гигантским магниторезистивным (ГМР) эффектом до 30% для создания современных датчиков магнитного поля на их основе. Скорректирована технология изготовления тестовых образцов спин-туннельных магниторезистивных наноструктур; разработана эскизная конструкторская и технологическая документация на макет датчика магнитного поля; разработаны технологический маршрут изготовления макета датчика магнитного поля на основе спин-туннельных магниторезистивных наноструктур, методика измерения электрофизических характеристик макетов датчика магнитного поля; изготовлен макет датчика магнитного поля на основе спин-туннельных магниторезистивных наноструктур; проведено измерение электрофизических характеристик макетов датчика магнитного поля; подготовлены предложения по постановке НИОКР по созданию оптимизированной конструкции магниторезистивного датчика магнитного поля.
ГРНТИ
50.09.37 Датчики и преобразователи
Ключевые слова
ГИГАНТСКИЙ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ
СПИН-ТУННЕЛЬНАЯ НАНОСТРУКТУРА
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МАГНИТНОГО ПОЛЯ
МАКЕТ ДАТЧИКА
Детали
НИОКТР
№ 114070130005
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное научное учреждение «Научно-производственный комплекс «Технологический центр"
Похожие документы
Теоретическая модель магнитных свойств спин-туннельного перехода на основе спин-туннельных магниторезистивных наноструктур с синтетическим антиферромагнетиком. Результаты исследования электрофизических характеристик макетов преобразователей магнитного поля и макетов элементов ячеек энергонезависимой магниторезистивной памяти на основе спин-туннельных магниторезистивных наноструктур с синтетическим антиферромагнетиком.
0.931
ИКРБС
Результаты исследования магнитных характеристик спин-туннельных магниторезистивных наноструктур с синтетическим антиферромагнетиком в составе пластины. Результаты измерения электрофизических характеристик макетных образцов спин-туннельных магниторезистивных наноструктур с синтетическим антиферромагнетиком
0.930
ИКРБС
Изготовление и измерение электрофизических характеристик макетов перспективных микросистем на основе тонкопленочных наноструктур с магнитострикционным эффектом более 1,0%. Обобщение и оценка полученных результатов
0.929
ИКРБС
Исследование электрофизических характеристик макетных образцов высокочувствительных преобразователей магнитного поля, макетных образцов элементов ячеек энергонезависимой магниторезистивной памяти на основе спин-туннельных магниторезистивных наноструктур с синтетическим антиферромагнетиком
0.927
НИОКТР
Экспериментальные исследования поставленных перед ПНИ задач. Этап 3
0.927
ИКРБС
Исследование тенденций развития и конструктивно-технологических методов изготовления тонкопленочных магниторезистивных наноструктур с магнитострикционным эффектом для создания на их основе перспективных микросистем
0.926
ИКРБС
Исследование тенденций развития и конструктивно-технологических методов изготовления тонкопленочных магниторезистивных наноструктур с магнитострикционным эффектом для создания на их основе перспективных микросистем
0.922
ИКРБС
Теретические исследования поставленных перед ПНИ задач. Этап 2
0.921
ИКРБС
Разработка и создание сенсоров магнитного поля и интеграция их с бортовыми системами навигации
0.921
ИКРБС
Аналитический обзор конструктивно-технологических методов формирования спин-туннельных магниторезистивных наноструктур с синтетическим антиферромагнетиком и спинтронных устройств на их основе. Описание технологического процесса формирования спин-туннельных магниторезистивных наноструктур с синтетическим антиферромагнетиком
0.920
ИКРБС