Выбор направления исследований

Объект исследования - экспериментальный образец системы автоматизированного проектирования специализированных микросхем типа «система на кристалле» на базовых кристаллах (ЭО САПР СнК) и технология проектирования специализированных микросхем типа «система на кристалле» на базовых кристаллах на основе разрабатываемой САПР СнК. Цель исследования - разработка технологии проектирования специализированных микросхем типа «система на кристалле» на базовых кристаллах (БК) на основе отечественной САПР СБИС. Проведен анализ современной научно-технической, нормативной, методической литературы, относящейся к теме ПНИЭР. Выполнена оценка эффективности возможных направлений исследований. Рассмотрены варианты возможных решений и результаты выбора оптимального варианта интерфейса САПР СнК. Представлены технические требования к технологии проектирования микросхем «система на кристалле» на основе отечественной САПР СнК; требования к маршруту проектирования микросхем «система на кристалле» на основе отечественной САПР СнК; требования к базовым кристаллам; требования к подсистемам САПР СнК; требования к библиотеке функциональных ячеек и СФ-блоков. Проведены патентные исследования по оценке технического уровня разрабатываемых технологий в соответствии с ГОСТ Р 15.011-96, подготовлен отчет о патентных исследованиях. Разработаны программа и методики экспериментальных исследований макетных образцов тестовых микросхем. Подготовлен комплект проектов тестовых микросхем в электронном виде. Выполнены сборка и исследование макетных образцов тестовых микросхем MLDR32_V1_REV3. Разрабатываемая САПР СнК предназначена для проектирования микросхем объёмом не менее 8 млн транзисторов.