КВАНТОВО-РАЗМЕРНАЯ СВЕТОДИОДНАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА InGaN/GaN/Al2O3 ВИДИМОГО ДИАПАЗОНА ДЛИН ВОЛН СО СТУПЕНЧАТО-ВАРИЗОННЫМИ БАРЬЕРНЫМИ СЛОЯМИ И КОРОТКОПЕРИОДНЫМИ СВЕРХРЕШЕТКАМИ(промежуточный)

Объект исследования - многоямные светодиодные гетероструктуры InGaN/GaN/Al₂O₃(0001), предназначенные для светодиодов синего диапазона (450 - 470 нм) длин волн. Цель исследования - разработка физических основ МОСГФЭ технологии по созданию светодиодных устройств на основе гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN(InGaN) с повышенной светоотдачей за счет использования варизонных энергетических барьеров InGaN вместо GaN в активной области светодиодной гетероструктуры, а также короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN с малым содержанием индия. Проведен дополнительный анализ научно-технической и патентной литературы, посвященной особенностям технологии выращивания нитридных светоизлучающих структур InGaN/GaN(InGaN)/Al₂O₃(0001), исследованию их конструктивного дизайна и методов повышения их оптической эффективности. В результате определены условия мосгидридной технологии выращивания светодиодных гетероструктур InGaN/GaN(InGaN)/Al₂O₃(0001) с варизонными барьерными слоями InGaN и короткопериодными сверхрешетками InGaN/GaN с малым содержанием индия и выращены образцы светодиодных гетероструктур. Результаты НИР направлены на разработку высокоэффективных светодиодов InGaN /GaN(InGaN)/Al₂O₃(0001) синего (450 - 470 нм) диапазона длин волн.