Теоретические исследования поставленных перед НИР задач

Объект разработки - устройства СВЧ электронной компонентной (ЭКБ) базы на основе соединений нитрида галлия. Проведены исследования и разработка комплекса научно-технических и технологических решений, направленных на создание новой СВЧ ЭКБ на основе соединений нитрида галлия для изготовления монолитных интегральных схем (МИС) усилителей мощности, малошумящих усилителей, фазовращателей, коммутаторов, смесителей с высокими удельными характеристиками по мощности и низким уровнем шума для современных радиоэлектроных систем связи и радиолокации в диапазоне частот 30 - 60 ГГц. Разработаны эскизная конструкторская и комплект эскизной технологической документации. На основании подготовленной документации изготовлены экспериментальные образцы транзисторов на широкозонных полупроводниках, которые будут испытаны в соответствии с п. 3.1 ПГ и разработанной программой и методикой испытания ЭО транзисторов на широкозонных проводниках. Программа и методика составлены с учётом п. 3.13, 4.3.1.1.1, и 4.3.1.1.2 ТЗ. В ходе измерений проведена оценка рабочей полосы транзистора на основании измеренных s-параметров, его работоспособность в диапазоне температур от минус 45 до плюс 65°С на основании разброса характеристик транзистора в данном диапазоне температур. Представлены эмпирические коэффициенты и модель двухполюсника, основанная на s-параметрах, для создания модели транзисторов для применения в современных САПР.