"Высокочастотные и оптические явления в гибридных плазмонных структурах на основе полупроводниковых соединений А3В5" (итоговый)

Обнаружено и исследовано излучение терагерцевого диапазона, связанное с переходами носителей заряда на примесные состояния, в структурах с легированными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs n-типа при межзонном оптическом возбуждении. В структурах с легированными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs p-типа обнаружено и исследовано излучение терагерцевого диапазона, возникающее при примесном пробое в продольном электрическом поле. Экспериментально исследована низкотемпературная межзонная фотолюминесценции из структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs n-типа, в которых наблюдалось терагерцевое излучение при межзонной оптической накачке. Полученные результаты подтверждают примесную природу обнаруженного терагерцевого излучения. Численно решены уравнения Максвелла для структуры с поверхностной дифракционной решеткой на границе раздела GaN-вакуум, и получены спектры коэффициента отражения и излучательной способности в терагерцевой области спектра. Экспериментально исследованы равновесные спектры отражения и спектры эмиссии излучения при приложении продольного электрического поля в структурах с эпитаксиальными слоями GaN с поверхностной дифракционной решеткой и в структурах без решетки.