ИКРБС
№ АААА-Б16-216032320116-9Разработка технологии изготовления тестовых кристаллов на основе гибридных гетероструктур типа FET/HBT
15.03.2016
Цель исследования - экспериментальное апробирование разработанной конструкции и лабораторной технологии изготовления тестовых кристаллов на основе гибридных гетероструктур типа FET/HBT, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs. Выполнены: теоретическое и экспериментальное исследование туннельно-резонансных диодов и элементов монолитно-интегрированных схем на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs/InP и GaAs/AlGaAs. Представлен комплект фотошаблонов для изготовления тестовых кристаллов на основе гибридных гетероструктур типа FET/HBT. Выполнена экспериментальная отработка лабораторной технологии изготовления тестовых кристаллов на основе гибридных гетероструктур типа FET/HBT, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs. Изготовлены экспериментальные образцы тестовых кристаллов на основе гибридных гетероструктур типа FET/HBT.
ГРНТИ
47.13.10 Технология и оборудование для производства изделий электронной техники СВЧ-диапазона
Ключевые слова
ГЕТЕРОСТРУКТУРА
ТОПОЛОГИЯ
СВЧ СХЕМА
ФОТОЛИТОГРАФИЯ
Детали
НИОКТР
№ 115100710019
Заказчик
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "КОННЕКТОР ОПТИКС"
Исполнитель
Общество с ограниченной ответственностью "Научно-образовательный центр ФИАН и МИЭТ "КВАНТОВЫЕ ПРИБОРЫ И НАНОТЕХНОЛОГИИ"
Похожие документы
Разработка тестовых элементов и измерение электрофизических параметров слоев (Ga, Al) N
0.942
НИОКТР
Технология изготовления тестового полевого СВЧ-транзистора Х-диапазона для монолитных интегральных схем для приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток Х-диапазона
0.927
РИД
Разработка и проведение технологических операций изготовления СВЧ-транзисторов на гетероструктурах с двойным электронным ограничением на основе нитрида галлия
0.925
ИКРБС
Изготовление наногетероструктур для ГБТ, разработка конструкции и технологии изготовления ГБТ
0.924
ИКРБС
Разработка физико-технологических основ формирования Т - образных затворов с длиной основания 250 нм и менее для СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов
0.922
ИКРБС
Разработка технологии изготовления силовых коммутационных транзисторов на основе нитрида галлия для создания энергоэффективных источников вторичного электропитания
0.920
ИКРБС
Разработка и проведение технологических операций изготовления СВЧ- транзисторов на гетероструктурах с двойным электронным ограничением на основе нитрида галлия
0.920
НИОКТР
Обеспечение проведения научных исследований. Отработка и исследование технологических операций изготовления HEMT транзистора на основе широкозонных полупроводников на плазмо-химическом и напылительном оборудовании.
0.918
НИОКТР
Конструкция тестового полевого СВЧ-транзистора Х-диапазона для монолитных интегральных схем для приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток Х-диапазона
0.916
РИД
Разработка технологии изготовления силовых коммутационных транзисторов на основе нитрида галлия для создания энергоэффективных источников вторичного электропитания
0.913
ИКРБС