ИКРБС
№ АААА-Б16-216041350009-7Теоретические исследования поставленных перед ПНИ задач. Разработка технической документации
07.04.2016
Цель исследования - разработка новых конструктивных и технологических принципов, технических решений и создание экспериментальных образцов многоэлементных неохлаждаемых КМОП-сенсоров теплового излучения на основе микроэлектромеханических (МЭМС) структур с микротермопарными преобразователями инфракрасного (ИК) излучения. Выполнено исследование тонкопленочных термоэлектрических материалов и структур, определены оптимальные сочетания материалов в составе термопарных КМОП-сенсоров с целью получения максимально возможных характеристик функционирования. Создана лабораторная технология создания матричных термопарных КМОП-сенсоров. Разработана конструкция и спроектирована топология матричного термопарного КМОП-сенсора. Разработаны программа и методики экспериментальных исследований ЭО многоэлементного неохлаждаемого КМОП-сенсора теплового излучения на основе МЭМС с микротермопарными преобразователями ИК-излучения. Подготовлена техническая документация, в том числе эскизная конструкторская, на исследовательский стенд и ЭО многоэлементного неохлаждаемого КМОП-сенсора теплового излучения на основе МЭМС с микротермопарными преобразователями ИК-излучения.
ГРНТИ
47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Ключевые слова
МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЕ НЕОХЛАЖДАЕМЫЕ КМОП-СЕНСОРЫ
ТЕПЛОВОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ
МЭМСТЕРМОПАРЫ
ИНФРАКРАСНЫЕ ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННЫЕ СИСТЕМЫ
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗРЕНИЕ
ИК-ФОТОПРИЕМНИКИ
Детали
НИОКТР
№ 114122470094
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Исполнитель
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
Похожие документы
Экспериментальные исследования поставленных перед ПНИ задач. Обобщение и оценка результатов ПНИ
0.976
ИКРБС
Экспериментальные исследования поставленных перед ПНИ задач
0.963
ИКРБС
Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных приборов нового поколения (микросистема для прямого оптического тепловидения)
0.933
ИКРБС
Разработка технологии формирования термочувствительного материала для элементов
неохлаждаемых микроболометрических приемников ИК-излучения нового поколения
0.925
НИОКТР
Теоретические и экспериментальные исследования конструктивно-технологических методов создания кристалла МЭМС ИК-источника излучения
0.924
ИКРБС
Разработка топологии. Разработка эскизной КД. Разработка технологического маршрута изготовления экспериментального образца микросистемы. Изготовление комплекта фотошаблонов. Отработка новых технологических процессов.
0.923
ИКРБС
Разработка технологий и методов создания приемников инфракрасного излучения и других датчиков на основе многослойных микромеханических структур с применением принципов оптического и полевого детектирования перемещений
0.919
ИКРБС
Разработка теплового МЭМС-сенсора с повышенным быстродействием по сравнению с представленными на рынке болометрическими и термопарными сенсорными элементами, чувствительными к ИК излучению.
0.918
НИОКТР
Разработка и исследование физико-технологических моделей многослойных тепловых микроактюаторов
0.917
Диссертация
"Анализ соотношений между требуемыми функциональными параметрами сенсора и конфигурацией чувствительных элементов (подвешенная мембрана, теплопроводные консоли, поглощающий ИК-излучение слой, термоэлектрический элемент). Разработка топологии полупроводникового кристалла и его тестовых элементов. Моделирование конструкции сенсора в статическом состоянии. Выбор и обоснование основного материала – типоразмеров структур КНИ (SOI) и корпусов для изготовления экспериментальных образцов. Выбор и обоснование основного материала – комплектующих изделий для изготовления экспериментальных образцов. Разработка технологического маршрута изготовления экспериментального образца изделия. Разработка и изготовление оснастки для изготовления экспериментальных образцов. Разработка и изготовление оснастки для измерения экспериментальных образцов. Изготовление комплекта фотошаблонов. Отработка сборки прототипа полупроводникового кристалла в корпус. Отработка новых технологических процессов изготовления тестовых элементов полупроводникового кристалла на пластинах и КНИ-структурах. Исследование и анализ тестовых элементов методами электронно-растровой микроскопии." (договор 29ГТС1РЭС14/72115 от 24.12.2021) (промежуточный)
0.916
ИКРБС