Разработка технологических методов создания гетероструктур фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения на основе соединений А3В5.

Проведен комплекс предварительных исследований по определению основных ростовых операций технологического цикла. С использованием методов рентгеноструктурной дифрактометрии, сканирующей электронной микроскопии, рамановской спектроскопии, фотолюминесценции, вторично-ионной масс-спектроскопии и метода Холла проведено комплексное структурное исследование выращенных слоев и гетероструктур фотоэлектрических преобразователей (ФЭП). Выполнена корректировка толщин и легирования эпитаксиальных слоев гетероструктур путем анализа спектральных характеристик ФЭП лазерного излучения (ЛИ), преобразующих излучение с длиной волны 809 и 1064 нм. Разработаны основы технологии создания ФЭП для преобразования ЛИ с длинами волн 809 и 1064 нм. Даны рекомендации по оптимизации полупроводниковых структур. Изготовлены макеты ФЭП ЛИ на основе AlGaAs/GaAs, AlInGaAs/InGaAs и GaInAsP/InP.