Разработка эскизной конструкторской и технологической документации

Объект исследования - гетероэпитаксиальные структуры нитридов галлия и алюминия, а также СВЧ- и силовые транзисторы на их основе. Цель исследования - повышение КПД не менее чем на 10% и коммутируемого напряжения не менее чем в 1,5 раза. Проведены теоретические исследования в области влияния топологических параметров на рабочий диапазон частот СВЧ-транзисторов и напряжение пробоя силовых транзисторов на основе нитрида галлия. Подготовлены: лабораторная технологическая инструкция получения гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия и алюминия на подложках кремния и карбида кремния с улучшенными электрофизическими свойствами; эскизная конструкторская документация на макеты СВЧ- и силовых транзисторов на основе нитридов галлия и алюминия на подложках кремния и карбида кремния; лабораторная технологическая инструкция получения СВЧ- и силовых транзисторов на основе нитридов галлия и алюминия на подложках кремния и карбида кремния. Проведены дополнительные патентные исследования. Организация производства отечественной электронной компонентной базы на основе нитрида галлия позволит повысить эффективность использования электронной аппаратуры, снизить ее массогабаритные показатели, а также увеличит надежность использования при экстремальных условиях эксплуатации (космос, объекты с повышенной температурой и радиационной активностью) по сравнению с аналогичной кремниевой и арсенидгаллиевой продукцией. На основе результатов проведенных исследований могут быть реализованы опытно-технологические и опытно-конструкторские работы, направленные на организацию серийного производства СВЧ- и силовых транзисторов на основе нитрида галлия. Результаты работы обсуждались и были переданы индустриальному партнеру ОАО «ОКБ Планета» с целью дальнейшего их использования в производстве полупроводниковых приборов на основе соединений нитрида галлия и алюминия.