ИКРБС
№ АААА-Б16-216042540048-4

Разработка экспериментальных образцов детекторов и фотовольтаических преобразователей на основе синтетического алмазного материала

31.12.2015

Цель исследования по Соглашению о предоставлении субсидии - разработка детекторов ядерных излучений на основе высокочистого, осаждаемого из газовой фазы, синтетического алмаза для избирательной регистрации ядерных излучений, а также разработка методов изготовления фотовольтаических преобразователей УФ-, альфа-, гамма-излучения на основе синтетического алмаза и исследование их параметров; разработка методов формирования заглубленных графитовых электродов в синтетическом алмазе для создания на их основе «трехмерных» детекторов ядерных излучений с повышенной эффективностью. В соответствии с планом-графиком разработана лабораторная методика измерения подвижности создаваемых ионизирующим излучением в алмазе носителей заряда по время-пролетному принципу. Подвижность и время жизни носителей заряда в чувствительном элементе детектора являются его важнейшими характеристиками, так как определяют длину собирания заряда и соответственно эффективность сбора зарядов. Методика основана на измерении времени прохождения носителей заряда через алмазный образец под действием внешнего электрического поля. На данном этапе работ проведены испытания электрофизических характеристик детекторов и фотовольтаических преобразователей, изготовленных на втором этапе в соответствии с программой и методикой испытаний. Испытания экспериментальных образцов детекторов для избирательной регистрации нейтральных частиц и ионов проводились в потоках дейтонов и альфа-частиц. Определены энергетическое разрешение детектора и минимальная регистрируемая энергия частицы. Детектор стабильно регистрирует протоны с энергией от 150 кэВ, дейтоны от 160 кэВ и альфа-частицы от 180 кэВ. Исследование электрофизических характеристик макетов алмазных фотовольтаических преобразователей на основе высокочистых алмазных гетероструктур проводилось в зависимости от конструкции контактов напыляемого металла. Измерялись вольт-амперные характеристики ФЭП альфа-, рентгеновского и УФ-излучений. Проведено сравнение ВАХ-преобразователей с разными типами контактов. По полученным данным проведена оценка эффективности преобразования энергии альфа-, рентгеновского и УФ-излучения в электричество. На текущем этапе работ решалась задача получения образцов эпитаксиальных структур алмаза заданной толщины в СВЧ-плазме ((p-i)-структуры) для изготовления тонкопленочных детекторов. Такие детекторы могут использоваться, например, для детектирования потоков протонов и альфа-частиц. В рамках работ по созданию экспериментальных образцов массивов заглубленных графитовых электродов в синтетическом алмазе проведены эксперименты по обнаружению возможных проблем при формировании матриц заглубленных электродов. Осуществлено изготовление массива заглубленных электродов с оптимизированной геометрией в пластине монокристаллического CVD алмаза размером 4×4×0,5 мм. Использование заглубленных графитовых электродов должно обеспечить существенное повышение эффективности и стабильности алмазных детекторов высокоэнергетичных излучений и частиц. За внебюджетные средства разработаны методы расчета и алгоритмы обработки сигналов алмазного детектора. Обоснован алгоритм обработки сигналов алмазного детектора. Проведена доработка конструкции установки химического газофазного осаждения в СВЧ-плазме для получения монокристаллов высокой чистоты. Цель модернизации - получить в стабильном режиме монокристаллические слои алмаза высокой чистоты толщиной до 1 мм и более. Все проведенные работы направлены на создание новых синтетических алмазных материалов электронного качества, на существенное повышение характеристик алмазных детекторов ионизирующих излучений и фотопреобразователей по сравнению с существующими на данный момент.
ГРНТИ
44.33.33 Термоядерная энергетика
Ключевые слова
АЛМАЗНЫЙ ДЕТЕКТОР
ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ
АЛМАЗНАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА
СВЧ ПЛАЗМА
ГРАФИТОВЫЙ КАНАЛ
Детали

НИОКТР
№ 114101750036
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Исполнитель
Акционерное общество "Государственный Научный Центр Российской Федерации Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований"
Похожие документы
Оптимизация технологических режимов изготовления алмазных кристаллов и контактов, изготовление и испытание экспериментальных образцов с трехмерной архитектурой электродов и детекторов для регистрации медленных нейтронов
0.953
ИКРБС
Разработка инновационных методов синтеза монокристаллических алмазных полупроводниковых материалов и гетероструктур изолятор-полупроводник-проводник
0.951
НИОКТР
Разработка детекторов ионизирующего излучения на низко-дислокационных монокристаллах алмаза, выращиваемых из газовой фазы, с высокой эффективностью сбора зарядов
0.937
НИОКТР
Испытание образцов детекторов и фотовольтаических преобразователей. Обобщение и оценка результатов исследований
0.936
ИКРБС
"Разработка инновационных методов синтеза монокристаллических алмазных полупроводниковых материалов и гетероструктур изолятор-полупроводник-проводник. Этап 2022 года". (Промежуточный, этап 1)
0.934
ИКРБС
Отчет о НИОКР «Разработка инновационных методов синтеза монокристаллических алмазных полупроводниковых материалов и гетероструктур изолятор-полупроводник- проводник. Этап 2023-2024 годов» Этап 2 (промежуточный)»
0.931
РИД
«Разработка инновационных методов синтеза монокристаллических алмазных полупроводниковых материалов и гетероструктур изолятор-полупроводник-проводник. Этап 2022 года». (Промежуточный, этап 1)
0.930
РИД
"Разработка технологии изготовления алмазных теплоотводов для силовых устройств на основе GaN" Заключительный отчет по проекту.
0.929
ИКРБС
Отчет о научно-исследовательской и опытно-конструкторской работе Разработка инновационных методов синтеза монокристаллических алмазных полупроводниковых материалов и гетероструктур изолятор-полупроводник-проводник. Этап 2021 года Тестирование структурного качества синтезированных кристаллов, испытание детекторов с использованием источников ионизирующих излучений, разработка и реализация системы газоснабжения для установки синтеза CVD материала, легированного бором (заключительный) Этап 2
0.929
РИД
Отчет о НИОКР «Разработка инновационных методов синтеза монокристаллических алмазных полупроводниковых материалов и гетероструктур изолятор-полупроводник- проводник. Этап 2023-2024 годов» Этап 4 (заключительный)
0.928
РИД