Разработка физических основ конструирования и технологии создания полупроводниковых гетероструктур вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300–1550 нм, фотоприемников спектрального диапазона 850–1600 нм, лазеров с пассивной синхронизацией мод и других типов новых оптоэлектронных приборов

Проанализированы концепции создания вертикально-излучающих лазеров (ВИЛ) спектрального диапазона 1300 - 1550 нм. Проведены исследования по созданию монолитных метаморфных ВИЛ.Методом молекулярно-пучковой эпитаксии созданы метаморфные распределенные брэгговские отражатели с коэффициентом отражения более 0,999. Проведены исследования по созданию активной области ВИЛ с метаморфными квантовыми ямами, излучающими на длине волны 1300 ± 50 нм. Проанализированы концепции создания квантово-каскадных лазеров (ККЛ). Проведены исследования спонтанного и стимулированного излучения ККЛ в спектральном диапазоне 5,6 - 5,8 мкм, при токовой накачке. Исследованы различные подходы к переносу CVD-графена для реализации прозрачного электрода. Проведены: разработка и оптимизация методики переноса CVD-графена на структурированные поверхности; исследования влияния структурированной подложки на проводимость CVD-графена; исследование свойств бозонного лазера.