РАЗВИТИЕ НАНОТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА ПРИБОРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ РАЗБАВЛЕННЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Объект исследования: технологии получения плёнок и монокристаллов А²В⁵ и спинтронных структур на их основе. Цель: получение объёмных кристаллов и тонких плёнок разбавленных магнитных полупроводников (РМП), гетероструктур и исследование кристаллической структуры, химического состава и морфологии поверхности объёмных кристаллов и тонких плёнок.Для решения поставленных задач использованы научные методы исследования: нереактивное магнетронное напыление, атомно-силовая микроскопия, электронная микроскопия, рентгенофазовый и рентгеноструктурный анализ. Получены объёмные образцы и тонкие плёнки, и исследованы кристаллическая структура, химический состав и морфология поверхности объёмных образцов и тонких плёнок. Разработана технология и начато исследование тонких пленок разбавленных магнитных полупроводников с целью использования в спинтронных гетероструктурах. Получены объемные образцы монокристаллов твёрдых растворов (Cd₁₋ₓ₋yZnₓMny)₃As₂ (x+y=0.4). Результаты исследования будут использованы при создании приборных гетероструктур спинтронных устройств на основе тонких плёнок и монокристаллов твёрдых растворов (Cd₁₋ₓ₋yZnₓMny)₃As₂ (x+y=0.4) для развития нового направления микроэлектроники. А также могут быть использованы в процессе преподавания таких дисциплин, как «Физические основы электроники», «Материалы и методы нанотехнологии в физике».Показано, что согласно последним теоретическим и экспериментальным исследованиям арсенид кадмия является дираковским полуметаллом. В монокристаллах Cd₃As₂ закон дисперсии квазичастиц является линейным по всем трем направлениям пространства импульсов. Поэтому исследование влияния легирования и образования твёрдых растворов на его основе может помочь теоретикам решить проблему возникновения в этом материале уникальных свойств.Практическая ценность исследования разбавленных магнитных полупроводников групп А²В⁵ и А³В⁵ и приборных гетероструктур на их основе состоит в том, что магнитные фазовые переходы, близкие к комнатным температурам, чувствительность к малым магнитным полям, особенности зонной структуры и механизмов переноса делают возможным создание на основе этих материалов приборов, работающих на токах спинполяризованных носителей заряда. Область применения: разработка и производство микроэлектронных приборов нового поколения.