Исследование свойств оксида и нитрида кремния в применении к тонкопленочным и подложечным солнечным элементам с высокой эффективностью

В качестве пассивационных слоев текстурированных пластин из монокристаллического кремния использованы оптимизированные слои ультратонкого диоксида кремния и микрокристаллического гидрогенизированного карбида кремния. В процессе синтеза гетероструктурных солнечных элементов (СЭ) с высокими характеристиками использована оптимизированная процедура пассивации (чистка, получение покрытий в оптимальных условиях). Тонкие пленки аморфного гидрогенизированного субоксида кремния, полученные при различном содержании диоксида углерода в составе реакционной смеси, использованы качестве основного светопоглощающего слоя при создании высокоэффективных однопереходных тонкопленочных СЭ. Исследованы двух- и трехслойные антиотражающие покрытия, созданные на основе пленок нитрида кремния, которые позволили значительно снизить отражение в широком спектральном интервале и потери плотности тока, связанные с отражением света.