ИКРБС
№ АААА-Б16-216053170045-4Разработка эскизной технической документации и изготовление экспериментального образца
25.05.2016
Объект исследования: двухосевой сенсор для систем навигации и ориентирования по магнитному полю Земли на основе высокочувствительной наноразмерной тонкопленочной магниторезистивной структуры. Цель: изготовление необходимой технологической оснастки для создания эскизного образца сенсора (ЭОС), самого ЭОС, стендов для проведения экспериментальных исследований ЭОС. Разработана экспериментальная конструкторская документация на ЭОС. При разработке топологии высокочувствительных магниторезистивных структур проведена их модификация с целью упрощения процесса создания прибора, что привело к росту его чувствительности. Результат подтвержден с помощью математического моделирования. Выбранная топология высокочувствительных магниторезистивных структур позволяет достичь требуемых показателей сенсора. Основные конструктивные и технико-экономические показатели ЭОС: высокая точность измерения магнитного поля в диапазоне от -0,2 до +0,2 кА/м, низкая потребляемая мощность.
ГРНТИ
47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Ключевые слова
СЕНСОРЫ МАГНИТНОГО ПОЛЯ
ОРИЕНТИРОВАНИЕ ПО ПОЛЮ ЗЕМЛИ
НАВИГАЦИЯ
АМР СЕНСОРЫ
ДВУХОСЕВЫЕ СЕНСОРЫ
ИЗМЕРЕНИЕ
МАГНИТНОЕ ПОЛЕ
Детали
НИОКТР
№ 114071570049
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Исполнитель
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
Похожие документы
Экспериментальные исследования поставленных перед ПНИ задач
0.967
ИКРБС
Создание двухосевого сенсора для систем навигации и ориентирования по магнитному полю Земли на основе наноразмерной тонкопленочной высокочувствительной магниторезистивной структуры. Обобщение и оценка результатов исследований
0.953
ИКРБС
Научно-исследовательские работы по созданию технологии изготовления чувствительных элементов для датчиков на магниторезистивном эффекте
0.930
ИКРБС
Разработка, изготовление и испытание макетов однокомпонентных сенсоров геомагнитных полей, выполненных на основе бинарных модулей пленочных железоиттриевых резонаторов, включенных в цепь обратной связи высокочастотных автогенераторов.
0.921
ИКРБС
Изготовление макетов устройств. Обобщение и оценка результатов исследований.
0.921
ИКРБС
Научно-исследовательские работы по созданию технологии изготовления чувствительных элементов для датчиков на магниторезистивном эффекте
0.920
ИКРБС
Разработка и создание сенсоров магнитного поля и интеграция их с бортовыми системами навигации
0.919
ИКРБС
Разработка топологии микросенсорного датчика магнитного поля и изготовление макета модуля интеллектуального подшипника
0.915
НИОКТР
Разработка топологии микросенсорного датчика магнитного поля и изготовление макета модуля интеллектуального подшипника
0.915
ИКРБС
"Разработка высокоточного датчика магнитного поля" (договор №38ГТС1РЭС14/72447 от 25.12.2021.) (заключительный)
0.914
ИКРБС