ИКРБС
№ АААА-Б16-216061750008-4Изготовление макетов устройств. Обобщение и оценка результатов исследований.
10.01.2016
Цель: разработка высокочувствительных датчиков магнитных полей с использованием магнитоэлектрических эффектов в композитных структурах ферромагнетик - пьезоэлектрик. Проведены дополнительные патентные исследования в соответствии с ГОСТ 15.011-96. Изготовлены макеты датчиков переменных и постоянных полей, автономного источника энергии, и проведены экспериментальные исследования макетов датчиков. Иностранным партнером изготовлен макет тонкопленочного датчика полей, разработан проект технического задания на ОКР по созданию датчика переменных полей.
ГРНТИ
29.19.41 Ферримагнетики
59.29.33 Приборы для измерения характеристик магнитных полей, магнитных свойств материалов
Ключевые слова
МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ
ФЕРРОМАГНЕТИК
ПЬЕЗОЭЛЕКТРИК
МАГНИТОСТРИКЦИЯ
КОМПОЗИТНАЯ СТРУКТУРА
ДАТЧИК МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ
ИЗМЕРЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ
ИЗМЕРЕНИЕ МАГНИТОСТРИКЦИИ И ПЬЕЗОЭФФЕКТА.
Детали
НИОКТР
№ 114112840029
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА – Российский технологический университет»
Похожие документы
Научно-исследовательские работы по созданию технологии изготовления чувствительных элементов для датчиков на магниторезистивном эффекте
0.923
ИКРБС
Разработка эскизной технической документации и изготовление экспериментального образца
0.921
ИКРБС
Научно-исследовательские работы по созданию технологии изготовления чувствительных элементов для датчиков на магниторезистивном эффекте
0.920
ИКРБС
Проведение испытаний опытных образцов ДМП по разработанной программе и методикам. Анализ и обобщение результатов испытаний экспериментальных образцов ДМП. Корректировка РКД на опытный образец ДМП по результатам испытаний. Разработка проекта технических условий и руководства по эксплуатации ДМП.
0.912
ИКРБС
Разработка технологии изготовления чувствительных элементов для датчиков на магниторезистивном эффекте
0.910
НИОКТР
Разработка преобразователя магнитного поля на основе тонкопленочной магниторезистивной структуры
0.908
ИКРБС
Изготовление и измерение электрофизических характеристик макетов перспективных микросистем на основе тонкопленочных наноструктур с магнитострикционным эффектом более 1,0%. Обобщение и оценка полученных результатов
0.908
ИКРБС
Исследование электрофизических характеристик макетных образцов высокочувствительных преобразователей магнитного поля, макетных образцов элементов ячеек энергонезависимой магниторезистивной памяти на основе спин-туннельных магниторезистивных наноструктур с синтетическим антиферромагнетиком
0.908
НИОКТР
Экспериментальные исследования поставленных перед ПНИ задач
0.908
ИКРБС
Разработка топологии микросенсорного датчика магнитного поля и изготовление макета модуля интеллектуального подшипника
0.908
НИОКТР