ИКРБС
№ АААА-Б16-216062850025-7Разработка технологии химико-механической полировки подложек карбида кремния 4Н политипа диаметром 4 дюйма с низкой плотностью микропор, используемых для производства силовых приборов
10.06.2016
Изготовлены опытные образцы монокристаллов карбида кремния сублимационным методом с параметрами, удовлетворяющими требованиям технического задания. Проведены испытания опытных образцов монокристаллов карбида кремния. Разработан комплект документов на технологический процесс химико-механической полировки подложек карбида кремния 4Н-политипа диам. 4 дюйма с низкой плотностью микропор, используемых для производства силовых приборов. Изготовлены опытные образцы подложек карбида кремния. Разработаны программы и методики испытаний опытных образцов подложек карбида кремния. Измерены характеристики опытных образцов подложек после проведения химико-механической полировки. Показано, что проведение химико-механической полировки с давлением 0,5 кг/см² уменьшает шероховатость поверхности до менее 0,3 нм. Разработано ноу-хау «Процесс изготовления атомарно-гладкого профиля поверхности пластины карбида кремния с высокой скоростью обработки», включая сведения, составляющие коммерческую тайну. Предложена технология химико-механической полировки подложек карбида кремния 4Н-политипа диам. 4 дюйма с низкой плотностью микропор, используемых для производства силовых приборов.
ГРНТИ
29.19.31 Полупроводники
Ключевые слова
КАРБИД КРЕМНИЯ
СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
ЭПИТАКСИЯ
ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКАЯ ПОЛИРОВКА
ФИНИШНАЯ ОБРАБОТКА
Детали
НИОКТР
№ 114093070050
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Исполнитель
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "НИТРИДНЫЕ КРИСТАЛЛЫ - АЛЮМИНИЙ-Н"
Похожие документы
Процесс изготовления атомарно гладкого профиля поверхности пластины карбида кремния с высокой скоростью обработки
0.959
РИД
Разработка методов получение пластин полупроводникового карбида кремния большого диаметра с целью применения групповых технологий микроэлектроники нового поколения
0.928
ИКРБС
Разработка технологии синтеза монокристаллов карбида кремния диаметром до 150 мм
0.927
ИКРБС
Получение подложек полупроводникового монокристаллического карбида кремния для экстремальной микроэлектроники
0.927
ИКРБС
Разработка технологических основ получения наноструктурированных слоев карбида кремния
0.919
ИКРБС
Моделирование процессов формирования и обработки наноструктурированных слоев карбида кремния
0.914
ИКРБС
Освоение технологии обработки монокристаллов карбида кремния диаметром до 150 мм
0.914
ИКРБС
Разработка технологии контролируемого синтеза тонких пленок карбида кремния с использованием метода молекулярно-слоевого осаждения
0.912
НИОКТР
Разработка технологических процессов получения и обработки поликристаллических алмазных пластин
0.910
ИКРБС
Разработка прототипа полирующей композиции для химико-механического полирования поверхности материалов.
0.910
НИОКТР