ИКРБС
№ АААА-Б16-216072760010-0

ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ (ВТОРАЯ ОЧЕРЕДЬ) Этап 3 ( промежуточный)

30.12.2015

Цель исследования - разработка методов проектирования схемных решений и технологий создания монолитных интегральных схем на нитридных наногетероструктурах; разработка методов, научно-технических и технологических решений по созданию и производству МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей для приемо-передающих модулей на частоту 8 - 12 ГГц; разработка методов, научно-технических и технологических решений по созданию кристаллов теплоотводящих подложек для МИС усилителей мощности. На третьем этапе ПНИ «Теоретические и экспериментальные исследования (вторая очередь)» разработаны: проекты топологий МИС УМ и МШУ Х-диапазона на основе электромагнитных расчетов; эскизная техническая (конструкторская, технологическая) документация для изготовления МИС УМ и МШУ Х-диапазона; лабораторная технология изготовления макетов МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей Х-диапазона частот. Изготовлены: комплект фотошаблонов для изготовления макетов МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей Х-диапазона частот; макеты МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей Х-диапазона частот, а также отдельных устройств из состава МИС с целью исследования их параметров. Разработаны программа и методики исследований СВЧ-параметров макетов МИС УМ и МШУ Х-диапазона. Проведено исследование макетов отдельных устройств из состава МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей Х-диапазона частот. Выбраны режимы кислородной зачистки поверхности полупроводниковых пластин. Проведена корректировка эскизной КД и ТД по результатам исследований макетов МИС УМ и МШУ. Разработаны программа и методики экспериментальных исследований экспериментальных образцов МИС УМ и МШУ.
ГРНТИ
49.13.13 Проектирование и конструирование устройств связи
Ключевые слова
HEMT ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ALGAN/ALN/GAN
HEMT ТРАНЗИСТОР
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА
УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ
МАЛОШУМЯЩИЙ УСИЛИТЕЛЬ.
Детали

НИОКТР
№ 114112170088
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ИНСТИТУТ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ ИМЕНИ В.Г. МОКЕРОВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Похожие документы
ОТЧЕТО ПРИКЛАДНЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЯХРазработка конструктивно-технологических решений по созданию семейства микроэлектронных элементов на структурах кремний на изоляторе (КНИ), обеспечивающего возможность создания высокотемпературных датчиков внешних воздействий различного функционального назначенияпо теме:ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПОСТАВЛЕННЫХ ПЕРЕД ПНИ ЗАДАЧ (3- ОЙ ОЧЕРЕДИ)(промежуточный)Этап 3
0.915
ИКРБС
Разработка базовой технологии создания МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей на нитридных наногетероструктурах для приемо-передающих модулей на частоту 8 - 12 ГГц. Экспериментальные исследования. Этап 4
0.911
ИКРБС
РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИЙ И ТЕХНОЛОГИИ СОЗДАНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР ПРИБОРОВ СВЧ-МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ В ИНТЕРЕСАХ РОССИЙСКОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ (заключительный, этап 3)
0.907
ИКРБС
Этап №3 «Разработка технологических операций изготовления СВЧ транзисторов и компонентов интегральной схемы ТИУ. Изготовление экспериментальных образцов СВЧ фотодиодов. Экспериментальное исследование электрических и оптических параметров интегрального СВЧ фотодиода. Системный расчет и моделирование параметров оптических приемников на основе ИС ФД и ИС ТИУ. Изготовление и измерение экспериментальных образцов интегральных пассивных оптических элементов на кремниевых подложках (волноводы, устройства ввод-вывода, делители). Определение состава, выбор и обоснование металлокерамических корпусов и комплектующих для сборки оптического приемного модуля.»
0.907
ИКРБС
Исследование возможностей построения и разработка современной отечественной сверхвысокочастотной элементной базы на основе гетероструктурных биполярных транзисторов в части создания супергетеродинных приемных трактов дециметрового и сантиметрового диапазонов длин волн типа сверхбыстродействующая система на кристалле для создания принципиально новых типов аппаратуры, предназначенных для использования в существующих и разрабатываемых летательных аппаратах «ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ» (промежуточный, этап 2)
0.906
ИКРБС
Разработка конструкций и технологии создания гетероструктур приборов свч-микроэлектроники в интересах российской промышленности (промежуточный, этап 2)
0.902
ИКРБС
Теоретические исследования поставленных перед ПНИ задач (3-й очереди).
0.901
ИКРБС
Отработка технологических блоков и проектирование конструкции параметрических мониторов технологических процессов. Этап 2
0.900
ИКРБС
ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
0.900
ИКРБС
Исследование физических процессов деградации многослойных полупроводниковых гетероструктур МИС СВЧ и их элементов в результате действия перепадов температуры и ИИ. Этап 3
0.900
ИКРБС