ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ, ОДНО- И МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ФОТО-ПРИЕМНИКОВ, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ В СПЕКТРАЛЬНОЙ ОБЛАСТИ 2.5-4.5 МКМ С ХАРАКТЕРНЫМИ РАЗМЕРАМИ ОДИНОЧНОГО ЭЛЕМЕНТА НЕ БОЛЕЕ 200 МКМ

Цель: разработка полупроводниковых фоточувствительных материалов и лабораторной технологии их получения для матричных инфракрасных фотоприемников и тепловизоров гражданского назначения с повышенной рабочей температурой не менее чем в 1,3 раза и/или сниженным энергопотреблением не менее чем в 2 раза, и/или уменьшенными габаритами и весом не менее чем в 2 раза; разработка полупроводниковых материалов, фоточувствительных в спектральных областях 2.5 - 4.5 мкм, на основе диодных гетероструктур из твердых растворов арсенида индия и лабораторной технологии их получения; разработка одноэлементных и многоэлементных приемников, фоточувствительных в спектральных областях 2.5 - 4.5 мкм, на основе диодных гетероструктур из твердых растворов арсенида индия, работающих в интервале температур 150 - 350 К, обладающих параметрами чувствительности, многократно превышающими существующий мировой уровень, и лабораторной технологии их получения.