Разработка и исследование сверхпроводниковых наноструктур для приемных устройств субтерагерцового диапазона

Разработаны и оптимизированы методы изготовления сверхпроводниковых наноструктур с высокой плотностью туннельного тока субмикронных размеров и методы получения многослойных интегральных схем. Разработана криогенная система стабилизации частоты для ТГц-генераторов гетеродина, измерены ее основные характеристики. Проведен численный расчет элементов интегральных приемных структур, выполнено проектирование микросхемы интегрального приемника диапазона 450 - 650 ГГц на основе туннельных наностуктур Nb-AlN-NbN. Измерены основные параметры сверхпроводникового генератора гетеродина на частоты до 1 ТГц в режиме частотной и фазовой автоподстройки частоты (в том числе ширина линии, спектральное качество, фазовый шум). Проведен цикл исследований излучения из сверхпроводниковых генераторов криогенных генераторов нового поколения на основе ВТСП-гетеростуктур. Разработана технология изготовления джозефсоновских туннельных СИС-переходов на основе пленок NbN с туннельным барьером из MgO, обладающих щелевым напряжением выше 5 мВ, что позволяет создавать генераторы гетеродина с частотой до 1,2 ГГц.