Разработка конструктивно-технологических решений по созданию семейства микроэлектронных элементов на структурах кремний на изоляторе (КНИ), обеспечивающего возможность создания высокотемпературных датчиков внешних воздействий различного функционального назначения. Экспериментальные исследования поставленных перед ПНИ задач. Этап 4

Объект исследования - принципы создания технологий и конструкций высокотемпературных микроэлектронных экспериментальных образцов высокотемпературного микроэлектронного КНИ ДТ и ДМП. Цель исследования - разработка комплекса научно-технических решений, направленных на создание технологий и конструкций изделий высокотемпературной микроэлектроники на рабочий диапазон температур от минус 60°С до плюс 225°С на структурах КНИ; разработка конструктивно-технологических решений, обеспечивающих возможность создания высокотемпературных датчиков внешних воздействий различного функционального назначения на структурах КНИ. Цель выполнения четвертого этапа - разработка топологии датчиков внешних воздействий и маршрута их изготовления; изготовление экспериментальных образцов и проведение исследований высокотемпературных КНИ датчиков внешних воздействий, обладающих повышенной чувствительностью. Обоснованы принципы создания технологий и конструкций изделий высокотемпературной микроэлектроники; использование оптимальных конструктивно-технологических решений в области высокотемпературной микроэлектроники на структурах КНИ, в том числе проведен анализ вольт-амперных характеристик и особенностей тока в МОП-транзисторах в диапазоне температур, обоснована и разработана топология высокотемпературных микроэлектронных КНИ-датчиков внешних воздействий. По разработанному технологическому маршруту изготовлены экспериментальные образцы, и проведены их экспериментальные исследования. Исследования показали соответствие экспериментальных образцов требованиям технического задания. Результаты исследования будут использованы в разработках высокотемпературных интегральных схем и датчиковых устройств космической, автомобильной и авиационной электроники и системах контроля нефте- и газодобычи.