Получение подложек полупроводникового монокристаллического карбида кремния для экстремальной микроэлектроники

02.11.2012

Цель: разработка методов выращивания, механической и химико-механической обработки слитков и пластин карбида кремния для экстремальной микроэлектроники. Разработан метод химико-механической полировки пластин карбида кремния; получены высококачественные монокристаллические подложки карбида кремния, подготовленные для эпитаксиального роста.

ГРНТИ

47.09.29 Полупроводниковые материалы

29.19.31 Полупроводники

47.33.29 Дискретные полупроводниковые приборы

47.13.07 Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники

29.19.13 Механические свойства твердых тел

Ключевые слова

ПЛАСТИНЫ ДЛЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ;КАРБИД КРЕМНИЯ;ОБРАБОТКА ПОВЕРХНОСТИ;СТРУКТУРА ПЛАСТИНЫ;ЭПИТАКСИЯ

Детали

НИОКТР

№ 01201060905

Заказчик

Министерство образования и науки Российской Федерации

Исполнитель

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” им. В.И. Ульянова (Ленина)"

Похожие документы

Разработка методов получение пластин полупроводникового карбида кремния большого диаметра с целью применения групповых технологий микроэлектроники нового поколения

0.951

ИКРБС

Полупроводниковый монокристаллический карбид кремния - новый материал радиационно стойкой электроники нового поколения для атомной техники

0.940

ИКРБС

Разработка технологических основ получения наноструктурированных слоев карбида кремния

0.937

ИКРБС

Разработка технологии химико-механической полировки подложек карбида кремния 4Н политипа диаметром 4 дюйма с низкой плотностью микропор, используемых для производства силовых приборов

0.927