Апробация технологии молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых квантово-размерных наногетероструктур активной области и распределенных брэгговских отражателей для ВИЛ ближнего ИК-диапазона. Разработка методик измерения характеристик тестовых кристаллов ВИЛ

Цель: разработка вариантов конструкций, базовой технологии синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и методов диагностики параметров полупроводниковых наногетероструктур А³В⁵ для вертикально-излучающих лазеров (ВИЛ) ближнего ИК-диапазона. Проведена корректировка эскизной конструкторской документации на квантово-размерные наногетероструктуры активной области для ВИЛ спектральных диапазонов 840 - 895 и 950 - 1060 нм (АО-ВИЛ) и наногетероструктуры распределенных брэгговских отражателей спектральных диапазонов 840 - 895 нм и 950 - 1060 нм (РБО). Разработаны: комплекты эскизной технологической документации на изготовление МПЭ-методом соответствующих наногетероструктур; программы и методики исследовательских испытаний экспериментальных образцов наногетероструктур АО-ВИЛ и наногетероструктур РБО. Изготовлены экспериментальные образцы наногетероструктур АО-ВИЛ и наногетероструктур РБО, и проведены их исследовательские испытания. Разработаны методики измерения вольт-ватт-амперных характеристик и спектров излучения тестовых кристаллов ВИЛ ближнего ИК-диапазона в диапазоне температур 15 - 85ºС.