Новый низкотемпературный подход к формированию многопереходных солнечных элементов на основе интеграции соединений АIIIВV и кремния. Теоретические и экспериментальные исследования

Разработана технология осаждения легированных кремнием (p-типа проводимости) слоев GaP на подложках кремния методом атомно-слоевого плазмохимического осаждения при низких температурах. Впервые с помощью технологии плазмохимического атомно-слоевого осаждения при температуре подложки 350°С были выращены легированные кремнием (n-типа проводимости) слои GaP на Si-подложке. Основной технико-эксплуатационный показатель полученных гетероструктур: эффективное время жизни носителей заряда в кремнии не менее 0,8 мс (по результатам исследований). Полученные гетероструктуры продемонстрировали перспективность их использования для создания фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения.