Полупроводниковый монокристаллический карбид кремния - новый материал радиационно стойкой электроники нового поколения для атомной техники

Объект исследования - технология и методы получения монокристаллических слоев. Цель исследования - развитие представлений о методах выращивания полупроводникового карбида кремния высокого структурного совершенства, легирования, электрохимической обработки пластин SiC и создание на его основе структур, пригодных для датчиков. Проведен анализ современного состояния технологии выращивания монокристаллических слоев карбида кремния. Рассмотрены методы электрохимической обработки поверхности пластин. Проанализированы: решения задач по повышению качества подготовки пластины под эпитаксию; методы получения высокочистых слоев карбида кремния с высоким временем жизни носителей заряда, необходимого для создания эффективных датчиков на основе SiC. Получены высококачественные слои полупроводникового карбида кремния для датчиков радиации, температуры и давления, применимых в атомной технике. Разработаны конструкции и технологии получения датчиков радиации, температуры и давления. Исследованы процессы формирования слоев, контактных систем, изолирующих слоев, изготовления мезаструктур.