Разработка преобразователя магнитного поля на основе тонкопленочной магниторезистивной структуры

Объект исследования - преобразователь магнитного поля, особенностью которого является чувствительный элемент на основе магниторезистивных наноразмерных структур. Цель проведения НИОКР - разработка отечественного преобразователя магнитного поля на основе тонкой магниторезистивной пленки, который будет соответствовать или в некоторых случаях даже превосходить по техническим характеристикам сенсор KMZ10 фирмы Philips (Нидерланды). Преобразователь магнитного поля должен обеспечивать регистрацию магнитного поля, как постоянного, так и переменного, частотой до 1 МГц. На заключительном этапе НИОКР в рамках государственного контракта №96АГР/16402 от 07.10.2015 г. создана рабочая конструкторская документация на преобразователь; подготовлена рабочая технологическая документация на преобразователь; разработаны технические условия на преобразователь; разработана ПМ исследовательских испытаний экспериментальных образцов преобразователя; изготовлены экспериментальные образцы преобразователя; проведены исследовательские испытания экспериментальных образцов преобразователя; проведена корректировка рабочей конструкторской документации на преобразователь по результатам исследовательских испытаний; проведена корректировка рабочей технологической документации на преобразователь по результатам исследовательских испытаний; изготовлены экспериментальные образцы преобразователя по скорректированной документации. Выполненные работы позволят обеспечить создание отечественного преобразователя магнитного поля с последующим обеспечением импортозамещения зарубежных аналогов, таких как сенсор KMZ10 фирмы Philips (Нидерланды).