Характеризация структур и устройств фотоники и микроэлектроники на основе перспективных функциональных материалов

Продемонстрирована генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров при комнатной температуре. Выполнена характеризация оптических свойств и разработана технология формирования фотодетекторов на основе одиночных вискеров InGaN/GaN. Исследована гетероструктура монолитного белого светодиода, содержащая несколько квантовых ям InGaN, излучающих в синем и желто-зеленом диапазонах. Изучены свойства УФ-светодиодов на основе GaN/AlGaN. Исследован фотоэлектролиз воды с электродами из GaN, SiC и GaN/сапфир. Исследована перестройка длины волны генерации полупроводниковых лазеров в спектрально-селективном внешнем резонаторе. Описан способ получения графена термодеструкцией поверхности полуизолирующей подложки SiC. Изучены структурные дефекты, электрические и оптические свойства слоев GaN для применения в силовых приборах.Синтезированы и охарактеризованы наночастицы меди и серебра, исследовано их влияние на биологических объектах.